在集成电路和微处理器设计中，多种冬季原型验证是不可或缺的一环，它涉及到在真实硬件上验证设计的功能、性能和可靠性。

事实上，排查产能继续以DRAM发展史上从未见过的速度扩张，20年内增长了8倍（1年内增长了1.11倍）。这里我们将从国际会议ISSCC（每年2月举行）上介绍的硅芯片概述开始，化解了解DRAM的发展状况。

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根据半导体芯片分析服务公司TechInsights发布的预估，开展2018年12月，开展三大DRAM公司的D1x代（1Xnm代，半间距）最小尺寸分别为三星电子18nm、SK海力士17.5nm、美光为17.5nm，技术为19nm。DRAM开发的方向从大容量，根治走向高速化。

行动DRAM制造技术进入10nm世代（不到20nm世代）已经过去五年了。

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